Take It or Leave It

上。據了解，包
 括海力士、美光、爾必達等目前均有向茂德表達合作意願，隨南科與美光合作改變了
 DRAM全球市場版圖，茂德現階段「左右逢源」、身價「水漲船高」。

 茂德高層昨（3）日表示，茂德現階段仍以海力士為首要合作對象；不過，最後合作
 對象為誰，目前不適合作任何評論。茂德昨日下跌0.22元，收7.93元。

 茂德董事長陳民良日前在法說會上表示，新一代製程合作對象目前仍與海力士接洽
 中；不過，他並不否認也有新的合作計劃在談。

 DRAM業界指出，包括美光、爾必達目前均積極拉攏茂德為合作對象，尤其在南科與美
 光合作後，恐威脅力晶在國內DRAM龍頭地位，不排除力晶藉爾必達之手，拉攏茂德來
 抗衡南科。

 茂德目前70奈米以下製程尚未與海力士簽訂技術合約，主要著眼於海力士今年下半年
 將轉入54奈米，茂德若僅就66奈米與海力士簽約，付出大筆授權金後，換來的卻是
 「過渡性」製程，相當不划算。

 業界指出，茂德希望跳過66奈米製程，直接與海力士簽訂50奈米技術合作。

 為因應70奈米以下技術支援尚未底定，茂德現階段自行研發70奈米DDRⅡ1Gb顆粒，預
 估第二季就會產出樣品，之後再進行10%的微縮，等於一片晶圓產出顆粒可再成長
 20%，預估明年上半年可大量生產。

 茂德目前竹科12吋廠產能為2萬片，中科三廠已達8萬片，四廠目前產能為1.5萬
 片，滿載後可達6.5到7萬片，今年則預估會擴充到3萬片的水準。茂德目前也在評估
 興建第五、六廠。

台塑 繼續深耕DRAM

經濟日報╱記者 周志恆、何易霖

南科宣布與美光合作新世代記憶體技術，代表台塑集團完全不畏懼DRAM業現正處在價
格不振、業者紛紛大賠的惡劣環境，宣示將持續深耕記憶體晶片製造領域。

分析南科轉向與美光合作，除獲得DRAM技術推展新方向，為既有溝槽式（Trench）製
程解套外，美光近年來將重心轉向NAND Flash，DRAM缺乏12吋產能支應，南科則正大
力拓展12吋產能，加上與美光合作可搭上美光發展NAND Flash的順風車，延伸台塑集
團在記憶體領域的勢力，可謂互蒙其利。

由於南科與轉投資的華亞科並未立刻終止與奇夢達的合作，就算南科轉向，未來仍有
華亞科這枚活棋可用，透過採用奇夢達新技術，延續與奇夢達的關係，也算是南科在
技術轉換時，預先買下的「保險」。

另一方面，儘管DRAM廠去年普遍大賠，重創業者資金部位，不少分析師更預言部分
DRAM廠在鉅額虧損壓力下，將會淡出DRAM製造領域，但南科背後有台塑集團支援，未
來結盟美光，在技術與資金兩大優勢兼備下，甚至可望帶領台灣記憶體產業迎向另一
高峰。


溝槽式堆疊式

經濟日報╱記者何易霖】 2008.03.04 03:55 am

DRAM記憶體技術主要分為溝槽式（Trench）與堆疊式（Stack）兩種。溝槽式顧名思
義，是採晶圓表面向下挖溝擴大表面積的方式來擴大電容量，優點是單片晶圓裸晶數
可較堆疊式多10%左右，缺點是牽涉高階製程的物性限制較高，可能影響良率。

堆疊式則採用上疊方式增加表面積來提高電容量，優點是電容量擴充性佳，高階製程
物性的限制較易克服，但較不利於系統單晶片的開發。由於溝槽式一再向下挖深以擴
大電容量，在晶圓厚度有限下，難免有其物理極限，甚至產生電晶體最忌諱的「漏
電」疑慮，因此一路發展下來較為辛苦。